Các bạn học tiếng Nhật hẳn không ai không biết JLPT – Japanese-Language Proficiency Test (日本語能力試験) rồi. Bên cạnh JLPT thì có 1 số chứng chỉ khác về tiếng Nhật như NAT-Test, Top J… Nhưng theo mình thì thì bạn nên chú ý tới BJT – Business Japanese-Proficiency Test, đặc biệt là khi bạn đang đi làm hoặc có ý định đi làm ở Nhật. Show
BJT là gì?BJT = Business Japanese-Proficiency Test / ビジネス日本語能力テスト – Kỳ thi năng lực tiếng Nhật thương mại. Nghe tên là cũng đủ hiểu, BJT tập trung vào tiếng Nhật dùng trong công việc, khác với JLPT là tiếng Nhật nói chung. BJT không có đỗ / trượtGiống như TOEIC vậy, căn cứ vào điểm thi BJT bạn sẽ được xếp vào các level tương ứng. Có 6 level từ J5 ~ J1+, tương ứng với số điểm từ 0 ~ 800. Ở đây mình tóm tắt nội dung của level J3 ~ J1+  Level BJT
Tại sao nên thi BJTĐược công nhận rộng rãiThực vậy. Trước đây hầu như mọi người chỉ biết tới JLPT, thì BJT giờ đây cũng đã được cục Quản lý xuất nhập cảnh Nhật Bản đưa vào như 1 tiêu chuẩn để đánh giá năng lực tiếng Nhật. Ví dụ như khi bạn muốn nộp đơn xin cấp visa cấp cao 高度人材, thì điểm BJT từ 480 trở lên sẽ được 15 điểm ~ tương đương với JLPT N1. Tương tự như vậy, BJT 400 sẽ được 10 điểm ~ tương đương JLPT N2. Có vẻ theo nhiều bạn đánh giá, BJT 480 điểm sẽ dễ hơn JLPT N1. Ngoài ra do BJT tập trung vào đánh giá năng lực tiếng Nhật trong môi trường công sở nên cũng được các doanh nghiệp dần ưa chuộng. Thực tế, không thiếu trường hợp người có JLPT tốt nhưng lại không phát huy được trong môi trường công việc hàng ngày. Tự đánh giá được năng lực tiếng Nhật business của bản thânBình thường mọi người nghĩ N2 là đủ dùng trong công việc. Tuy nhiên N2 có lẽ chỉ rơi vào mức J3 ~ J2, tức là “Khả năng vận dụng, kiến thức tiếng Nhật thì có 1 chút vấn đề và có khả năng gây ảnh hưởng tới sự nghe hiểu”, nói cách khác là “Có năng lực giao tiếp tiếng Nhật tốt tại một số môi trường công việc nhất định”. Còn nếu bạn muốn giao tiếp “như người Nhật” thì mốc nhắm đến phải là J1+. CoronaCái này thì là phụ thôi nhưng cũng đáng nhắc đến. Hình thức thi của BJT là tới trung tâm chỉ định, rồi thi trên máy tính. Thế nên trong khi kỳ thi JLPT tháng 7/2020 phải hủy vì Corona thì BJT không bị ảnh hưởng. Bạn có thể đăng ký thi BJT bất cứ lúc nào, hầu như ngày nào cũng có thể thi. Tuy nhiên lưu ý là sau khi thi xong thì phải 3 tháng sau mới được đăng ký tiếp. Thi BJT Ôn thi BJT như thế nào?BJT hiện tại hầu như không có giáo trình, chỉ có bộ đề. Vậy nên tốt nhất bạn vẫn ôn JLPT như bình thường, sau đó gần tới kỳ thi thì luyện đề để làm quen với hình thức thi. Bộ đề bạn có thể mua trên Amazon, hoặc rẻ hơn thì lên Mercari để mua sách cũ => https://www.mercari.com/jp/search/?keyword=bjt Tuy nhiên BJT dùng nhiều tiếng Nhật trong công việc, tức là kính ngữ – khiêm nhường ngữ, hội thoại trong – ngoài công ty, nên khuyến khích các bạn có N3 trở nên. Cách thi BJTỞ Việt Nam thì bạn có thể liên lạc với 1 số trung tâm dưới đây. Lệ phí thi là khoảng 640.000 VND, rẻ hơn 1/2 so với ở Nhật là 7000 JPY
Trong các bài viết trước, Antshome đã đề cập đến các loại transistor phổ biến như Mosfet hay IGBT. Trong bài viết lần này, chúng ta sẽ cùng tiếp tục thảo luận về một loại transistor khác đó là BJT. Vậy BJT là gì và chúng hoạt động ra sao? BJT là gì?BJT, viết tắt của Bipolar Junction Transistor hay còn gọi là Transistor lưỡng cực, là một loại linh kiện bán dẫn ba khối bao gồm hai điốt loại p và n giúp khuếch đại và phóng đại tín hiệu. Ba khối bán dẫn bên trong BJT là base (cực gốc), emitter (cực phát) và collector (cực thu). BJT là loại transistor sử dụng cả electrons và lỗ hổng điện từ làm hạt tải điện. Có hai loại BJT là transistor NPN và transistor PNP. Bạn đọc có thể tham khảo sơ đồ của hai loại BJT sau đây. Từ hình trên, ta có thể thấy mỗi loại BJT đều được cấu tạo từ ba phần chính là emitter, base và collector. JEvà JC là điểm tiếp nối riêng biệt của emitter và collector. Điểm tiếp nối emitter-base phân cực thuận còn điểm tiếp nối collector-base phân cực nghịch. NPN Transistorở n-p-n transistor lưỡng cực, chất bán dẫn loại p nằm giữa hai chất bán dẫn loại n như hình sau. IE và IC tương ứng với dòng điện chạy qua emitter và collector, VEB và VCB lần lượt là điện áp giữa emitter-base và collector-base. Đối với IE IB IC, dòng điện đi vào BJT mang điện tích dương còn dòng điện đi ra khỏi BJT mang điện tích âm. Chúng ta có thể lập bảng về sự khác nhau giữa các dòng điện áp trong NPN transistor như sau:
PNP TransistorỞ p-n-p transistor lưỡng cực, chất bán dẫn loại n nằm giữa hai chất bán dẫn loại p như hình sau. Với PNP transistor, dòng điện đi vào BJT thông qua emitter. Giống như bất kỳ loại transistor lưỡng cực khác, điểm tiếp nối emitter-base phân cực thuận còn điểm tiếp nối collector-base phân cực nghịch. Chúng ta có thể lập bảng về sự khác nhau giữa các dòng điện áp trong PNP transistor như sau:
Nguyên lý hoạt động của BJT là gì?NPN transistor được phân cực thuận nghịch (Active mode), trong đó tiếp điểm emitter-base được phân cực thuận và tiếp điểm collector-base được phân cực nghịch. Chiều rộng của tiếp điểm emitter-base nhỏ hơn so với collector-base. Sự phân cực thuận ở tiếp điểm emitter-base giúp làm giảm rào cản cho các electron có thể di chuyển từ emitter đến base. Vì cực base khá mỏng và ít bị pha tạp nên chúng có ít lỗ hổng điện từ nhờ đó mà các electrons có thể khỏa lấp lỗ trống này và di chuyển ra khỏi cực base. Hiện tượng này tạo nên dòng điện chạy qua cực base. Các electrons còn lại sẽ tiếp tục vượt qua tiếp điểm collector base được phân cực ngược và tạo nên dòng điện chạy qua cực collector. Dựa trên định luật Kirchhoff, IE = IB+ IC Tuy nhiên dòng điện qua cực base tương đối nhỏ nên ta có thể cho rằng IE ~ IC. Với NPN transistor, phần lớn các hạt tải điện là electrons. Ngược lại, phần lớn hạt tải điện của PNP transistor là các lỗ trống điện tử (holes electrons). Về mặt nguyên lý hoạt động, NPN và PNP transistor tương tự nhau. Ở BJT, chỉ một phần nhỏ dòng điện chạy qua là do hạt tải điện cơ bản (đa số) và hầu hết dòng tải điện là do hạt tải điện không cơ bản (thiểu số). Đặc tính của BJT là gì?BJT có 3 chế độ hoạt động khác nhau là:
Cả 3 chế độ được thể hiện qua hình sau Ở mỗi chế độ hoạt động có những đặc tính khác nhau. Đặc tính Common base (CB)Đặc tính đầu vàoỞ PNP transistor, dòng điện đầu là dòng điện của emitter (IE) còn điện áp đầu vào là điện áp của collector (VCB). Vì tiếp điểm emitter-base phân cực thuận nên mối liên hệ giữa IE và VEB cũng tương tự như đặc tính phân cực thuận của điốt p-n. Có nghĩa là, với IE tăng lên, trong khi đó VEB cố định thì VCB cũng sẽ tăng. Đặc tính đầu raDòng điện đầu ra là dòng điện của collector (IC) và dòng điện của emitter (IE) là dòng điện đầu vào, hoạt động như một tham số trong mối liên hệ giữa dòng điện đầu ra và điện áp đầu ra. Hình sau thể hiện đặc tính đầu ra của PNP transistor khi ở chế độ CB. Như đã đề cập ở trên, với PNP transistor, IE và VEB mang điện tích dương còn IC, IB và VCB mang điện tích âm. Đây là 3 vùng hoạt động đặc trưng của BJT: Phân cực thuận nghịch (Active region), phân cực thuận (Saturation region) và phân cực nghịch (Cut-off region). Vùng phân cực thuận nghịch (Active region) là vùng mà BJT hoạt động bình thường. Với điểm tiếp nối emitter được phân cực ngược, vùng phân cực thuận (Saturation region) là vùng mà điểm tiếp nối emitter-collector được phân cực thuận, và ở cùng phân cực nghịch (Cut-off region) thì điểm tiếp nối emitter-collector được phân cực nghịch. Đặc tính Common emitter (CE)Đặc tính đầu vàoỞ chế độ Common emitter (CE), dòng điện qua cực base IB là dòng điện đầu vào, điện áp giữa emitter-base VEB là điện áp đầu vào. Nên đặc tính đầu vào của chế độ này sẽ phụ thuộc vào mỗi liên hệ giữa IB và VEB với VCE là tham số. Bạn có thể tham khảo hình sau: Đặc tính đầu vào của chế độ CE tương tự như đặc tính phân cực thuận của điốt p-n. Tuy nhiên, khi VCB tăng thì chiều rộng của cực base sẽ bị thu hẹp lại. Đặc tính đầu raĐặc tính đầu ra ở chế độ CE được thể hiện qua mối liên hệ của dòng điện chạy qua collector IC và điện áp giữa collector-emitter VCE khi dòng điện qua cực base IB là tham số. Bạn có thể tham khảo hình sau: Tương tự như đặc tính đầu ra của chế độ common base (CB) transistor, chế độ CE cũng có 3 vùng hoạt động đặc trưng của BJT: Phân cực thuận nghịch (Active region), phân cực thuận (Saturation region) và phân cực nghịch (Cut-off region). Ở vùng phân cực thuận nghịch (Active region), tiếp điểm collector được phân cực ngược còn tiếp điểm emitter được phân cực thuận. Đối với vùng phân cực nghịch (Cut-off region), tiếp điểm emitter chỉ hơi phân cực ngược và dòng điện qua collector không hoàn toàn bị cắt. Cuối cùng, với vùng phân cực thuận (Saturation region), tiếp điểm emitter và collector đều hoàn toàn phân cực thuận.
Cách xác định chân BJTBạn sẽ cần dùng tới VOM* để xác định chân của một transistor (BJT). Các bước làm như sau: (*VOM: là đồng hồ vạn năng. Đây là loại dụng cụ đo lường điện có nhiều chức năng. VOM có kích thước nhỏ gọn dùng để kiểm tra mạch điện hoặc mạch điện tử)
Xác định chân C và E: chuyển đồng hồ về đo Ohm thang x100. Đối với PNP: hãy giả thiết một chân là chân C và một chân còn lại là chân E. Đưa que đen tới chân C, que đỏ tới chân E (que đỏ nối với cực âm của pin trong đồng hồ). Trong khi để 2 chân kia tiếp xúc như vậy, chạm chân B vào que đen, nếu kim dịch chuyển nhiều hơn so với cách giả thiết chân ngược lại thì giả thiết ban đầu là đúng, nếu không thì tất nhiên giả thiết ban đầu là sai và phải đổi lại chân.Còn đối với NPN làm tương tự nhưng với màu ngược lại là được nhé. So sánh BJT và FETFET là gì?FET là thuật ngữ viết tắt của Field-effect transistor. FET là một loại transistor mà trong đó dòng điện o / p được điều khiển bởi điện trường. FET khác với BJT ở chỗ: FET có 03 chân là nguồn, máng và cống. Các hạt mang điện tích của FET là các lỗ trống hoặc các điện tử, đi từ cực nguồn đến cực máng qua một kênh tích cực. FET là transistor đơn cực nên chúng liên quan đến hoạt động của phần tử tải điện đơn Cấu tạo của FETFET được chia làm hai loại là JFET và MOSFET có nguyên lý hoạt động gần giống nhau. Cấu tạo của JFET kênh p được hiển thị bên dưới. Trong JFET kênh p, hạt mang điện tích đa số đi từ cực nguồn đến cực máng. Cực nguồn và cực máng được ký hiệu là S và D. Cực cổng được kết nối ở chế độ phân cực nghịch với nguồn điện áp để có thể hình thành lớp suy giảm trên các vùng của cổng và kênh mà dòng điện tích chảy qua. Bất cứ khi nào điện áp nghịch trên cực cổng được tăng lên, lớp suy giảm sẽ tăng lên. Vì vậy, nó có thể ngăn dòng điện từ cực nguồn đến cực máng. Vì vậy, bằng cách thay đổi điện áp tại cực cổng, dòng điện từ cực nguồn đến cực cống có thể được kiểm soát. So sánh BJT và FETBạn có thể tham khảo bảng thông tin dưới đây để dễ dàng so sánh:
Nên sử dụng BJT hay FET?Thông thường, BJT sẽ phù hợp hơn với điều khiển LED công suất thấp hoặc các thiết bị từ MCU vì BJT chuyển đổi nhanh hơn so với MOSFET. Lý do vì BJT có dung điện thấp trên chân điều khiển. Ứng dụng của BJT là gì?BJT thường được sử dụng trong các mạch điện rời vì chúng có khả năng dẫn điện tốt, chúng phù hợp với các ứng dụng sử dụng mạch điện có tần số cao. Đó là lý do vì sao BJT được dùng làm tần số vô tuyến ở các hệ thống không dây. Ngoài ra, chúng còn được sử dụng trong việc khuếch đại tín hiệu. Mong là bài viết này đã giúp bạn hiểu rõ hơn về BJT và những khái niệm liên quan khác. Đừng ngại cho Antshome một đánh giá hoặc bình luận bên dưới nếu bạn thấy hữu ích nhé! Tài liệu tham khảo: Electrical4U |
